ТОМСК, 22 дек – РИА Томск. Ученые Томского политехнического университета (ТПУ) закончили монтаж боксов для защиты от радиации на "Сибирском кольцевом источнике фотонов" (СКИФ) под Новосибирском; пусконаладочные работы начнутся в январе 2026 года, сообщает в понедельник пресс-служба вуза.
Ранее сообщалось, что в мае 2025 года томские политехники начали монтировать боксы для радиационной безопасности на первой экспериментальной станции СКИФа. Всего ТПУ разработал шесть контрольных кабин для пяти экспериментальных станций первой очереди СКИФа: "Микрофокус", "Структурная диагностика", "Быстропротекающие процессы", "XAFS-спектроскопия и магнитный дихроизм" и "Электронная структура", а также 12 радиационных боксов.
"Команда инженеров Томского политехнического университета завершила монтажные работы всех свинцовых ограничительных конструкций (хатчей). Это боксы, которые будут обеспечивать радиационную безопасность ученых и пользователей экспериментальных станций строящегося под Новосибирском Центра коллективного пользования "Сибирского кольцевого источника фотонов", – сказано в сообщении.
Уточняется, что общий вес смонтированных конструкций – порядка 700 тонн, из которых более 300 – свинец. В среднем тяжесть одного бокса составляет 55 тонн. Внутри будут проводить эксперименты с синхротронным излучением. Сами боксы, помимо радиационной защиты, являются "скелетом" станции: на них навешиваются инженерные сети.
"Это была интересная часть работы, ведь каждая станция уникальна и имеет ряд особенностей. Следующим этапом станут пусконаладочные работы инженерных сетей, обвесных конструкций и подъемных механизмов. Мы приступим к этой работе в январе 2026 года", – цитируется проректор по науке и стратегическим проектам ТПУ Алексей Гоголев.
Ранее сообщалось, что СКИФ – источник синхротронного излучения класса 4+. Установка необходима для изучения атомной структуры веществ. ТПУ занимается созданием двух экспериментальных станций: "Микрофокус" и "Электронная структура". Специализация первой – характеризация свойств и состава материалов, второй – изучение поверхности наноматериалов.
