ТОМСК, 11 фев – РИА Томск. Инжиниринговый химико-технологический центр Томского госуниверситета (ИХТЦ ТГУ) совместно с учеными из Новосибирска и Нижнего Новгорода разработали технологии производства трибромида бора, вещества для полупроводников; первые поставки запланированы на 2026 году, сообщила пресс-служба вуза в среду.
Ранее сообщалось, что ИХТЦ ТГУ был создан в 2014 году для внедрения разработок университета в промышленность и решения производственных задач с применением наукоемких технологий. Центр разрабатывал по заказу Минпромторга технологию получения химических веществ для микроэлектронной промышленности, в частности методику синтеза бромоводорода, тетракиса титана, трибромида бора, тартратов и цитратов.
"ИХТЦ ТГУ завершил проект по разработке технологии и организации полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты (6N5)... Трибромид бора высокой чистоты в основном применяется для легирования полупроводников в микроэлектронике", – сказано в сообщении.
Уточняется, что в реализации проекта также участвовали Институт неорганической химии имени А.В.Николаева СО РАН (Новосибирск) и ООО "НПИ" (Нижний Новгород). Инженеры Нижнего Новгорода разработали технологические решения, а ученые из Томска и Новосибирска создали методики аналитического контроля и стандарты качества.
"Производственная мощность установки составляет 24 килограмма вещества в год. Продукт будет поставляться… в кварцевых ампулах различного объема и специальных емкостях-барботерах. Создание полного цикла производства на отечественном сырье позволяет выпускать продукт, сопоставимый по цене и качеству с зарубежными аналогами, основные поставки которых ранее осуществлялись из Китая, Германии и США", – говорится в сообщении.
По данным пресс-службы, первые поставки трибромида бора запланированы на 2026 год.
